作為光刻工藝中zuì重要設備之一，接觸式光刻機一次次革命性的突破，使大模集成電路制造技術飛速向前發(fā)展。了解提高接觸式光刻機性能的關鍵技術以及了解下一代光刻技術的發(fā)展情況是十分重要的。

 

　　光刻意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。

　　一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。

　　接觸式光刻機是集成電路芯片制造的關鍵核心設備。光刻機是微電子裝備的，技術難度zuì高，單臺成本zuì大。

 

　　接觸式光刻機的種類：

　　接觸式曝光：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。

　　1、軟接觸：就是把基片通過托盤吸附住，掩膜蓋在基片上面；

　　2、硬接觸：是將基片通過一個氣壓，往上頂，使之與掩膜接觸；

　　3、真空接觸：是在掩膜和基片中間抽氣，使之更加好的貼合。

 

　　接觸式光刻機的涂膠工藝：

　　要制備光刻圖形，首先就得在芯片表面制備一層均勻的光刻膠。 在涂膠之前，對芯片表面進行清洗和干燥是*的。

　　目前涂膠的主要方法有：甩膠、噴膠和氣相沉積 ，但應用zuì廣泛的還是甩膠。甩膠是利用芯片的高速旋轉，將多余的膠甩出去，而在芯片上留下一層均勻的膠層，通常這種方法可以獲得優(yōu)于+2%的均勻性。膠層厚度和轉速、時間、膠的特性都有關系，此外旋轉時產生的氣流也會有一定的影響。

　　甩膠的主要缺陷有：氣泡、彗星、條紋、邊緣效應等，其中邊緣效應對于小片和不規(guī)則片尤為明顯。