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-自動(dòng)化高速薄膜厚度測(cè)量?jī)x

簡(jiǎn)要描述:顯示器薄膜測(cè)量?jī)x*的光學(xué)模塊可容納所有光學(xué)部件:分光計(jì)、復(fù)合光源(壽命10000小時(shí))、高精度反射探頭。因此,在準(zhǔn)確性、重現(xiàn)性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性方面保證了優(yōu)異的性能。

  • 產(chǎn)品型號(hào):FR-Scanner AIO-Mic-RΘ150
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
  • 產(chǎn)品資料:
  • 更新時(shí)間:2024-11-09
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量: 515

詳細(xì)介紹

1、FR-Scanner-AIO-Mic-RΘ150介紹

模塊化厚度測(cè)繪系統(tǒng)平臺(tái),集成了光學(xué)、電子和機(jī)械模塊,用于表征圖案化薄膜光學(xué)參數(shù)。典型案例包括(但不限于)微圖案表面、粗糙表面等。晶圓放置在真空吸盤(pán)上,該真空吸盤(pán)支持尺寸/直徑達(dá) 300 毫米的各種晶圓,執(zhí)行測(cè)量光斑尺寸小至幾微米的強(qiáng)大光學(xué)模塊。具超高精度和可重復(fù)性的電動(dòng)RΘ 載物臺(tái),在速度、精度和可重復(fù)性方面具有出色的性能。


FR-Scanner-AIO-Mic-RΘ150提供:o 實(shí)時(shí)光譜反射率測(cè)量 o 薄膜厚度、光學(xué)特性、不均勻性測(cè)量、厚度測(cè)繪o 使用集成的、USB 連接的高質(zhì)量彩色相機(jī)進(jìn)行成像o 測(cè)量參數(shù)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù) * 還提供用于測(cè)量更大直徑晶圓上涂層的工具(最大 450 毫米)


2、特征


o 單擊分析無(wú)需初始猜測(cè)

o 動(dòng)態(tài)測(cè)量

光學(xué)參數(shù)(n & k、色座標(biāo))

o Click2Move 和圖案測(cè)量位置對(duì)齊功能

o 多個(gè)離線(xiàn)分析安裝

o 免費(fèi)軟件更新


3、規(guī)格

Model

UV/VIS

UV/NIR -EX

UV/NIR-HR

D UV/NIR

VIS/NIR

D VIS/NIR

NIR

NIR-N2

Spectral Range (nm)

200 – 850

200 –1020

200-1100

200 – 1700

370 –1020

370 – 1700

900 – 1700

900 - 1050

Spectrometer Pixels

3648

3648

3648

3648 & 512

3648

3648 & 512

512

3648

Thickness range (SiO2) *1

5X- VIS/NIR

4nm – 60μm

4nm – 70μm

4nm – 100μm

4nm – 150μm

15nm – 90μm

15nm–150μm

100nm-150μm

4um – 1mm

10X-VIS/NIR

10X-UV/NIR*

4nm – 50μm

4nm – 60μm

4nm – 80μm

4nm – 130μm

15nm – 80μm

15nm–130μm

100nm–130μm

15X- UV/NIR *

4nm – 40μm

4nm – 50μm

4nm – 50μm

4nm – 120μm

100nm-100μm

20X- VIS/NIR

20X- UV/NIR *

4nm – 25μm

4nm – 30μm

4nm – 30μm

4nm – 50μm

15nm – 30μm

15nm – 50μm

100nm – 50μm

40X- UV/NIR *

4nm – 4μm

4nm – 4μm

4nm – 5μm

4nm – 6μm

50X- VIS/NIR

15nm – 5μm

15nm – 5μm

100nm – 5μm

Min. Thickness for n & k

50nm

50nm

50nm

50nm

100nm

100nm

500nm

Thickness Accuracy **2

0.1% or 1nm

0.2% or 2nm

3nm or 0.3%


Thickness Precision **3/4

0.02nm

0.02nm

<1nm

5nm

Thickness stability **5

0.05nm

0.05nm

<1nm

5nm

Light Source

Deuterium & Halogen

Halogen (internal), 3000h   (MTBF)

R/Angle resolution

5μm/0.1o

Material Database

> 700 different   materials

Wafer size

2in-3in-4in-6in-8in-300mm

Scanning   Speed

100meas/min   (8’’ wafer size)

Tool   footprint / Weight

650x500mm   / 45Kg

Power

110V/230V, 50-60Hz, 350W





測(cè)量區(qū)域光斑(收集反射信號(hào)的區(qū)域)與物鏡和孔徑大小有關(guān)

物鏡

Spot Size (光斑)

放大倍率

500微米孔徑

250微米孔徑

100微米孔徑

5x

100 μm

50 μm

20 μm

10x

50 μm

25 μm

10 μm

20x

25 μm

15 μm

5 μm

50x

10 μm

5 μm

2 μm





4、工作原理

Principle of Operation 測(cè)量原理White Light Reflectance Spectroscopy (WLRS) 白光反射光譜是測(cè)量從單層薄膜或多層薄膜堆疊結(jié)構(gòu)的一個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)的反射量,入射光垂直于樣品表面,由于界面干涉產(chǎn)生的反射光譜被用來(lái)計(jì)算確定(透明或部分透明或wan'quan反射基板上)薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)(N&K)等。



圖片4.png


*1規(guī)格如有變更,恕不另行通知,*2與校正過(guò)的光譜橢偏儀和x射線(xiàn)衍射儀的測(cè)量結(jié)果匹配,*3超過(guò)15天平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差平均值,樣品:硅晶片上1微米SiO2,*4標(biāo)準(zhǔn)偏差100次厚度測(cè)量結(jié)果,樣品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天內(nèi)每日平均值的2*標(biāo)準(zhǔn)差。樣品:硅片上1微米SiO2。


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