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當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > > CMP 晶圓減薄拋光 > 6EZ-SIC拋光機(jī)
簡要描述：Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料（如SiC）的經(jīng)驗(yàn)，6EZ SiC拋光機(jī)是市場上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設(shè)計(jì)的SiC CMP工具，競爭對(duì)手的拋光機(jī)基本上是為拋光硅集成電路而設(shè)計(jì)的，這有一套非常不同的要求，6EZ與其競爭對(duì)手之間最重要的區(qū)別在于晶圓載具的設(shè)計(jì)
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：代理商產(chǎn)品資料：更新時(shí)間：2024-11-09訪 問 量： 2922產(chǎn)品分類
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6EZ晶圓載具設(shè)計(jì)的優(yōu)勢：
·Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料（如SiC）的經(jīng)驗(yàn)
·6EZ SiC拋光機(jī)是市場上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設(shè)計(jì)的SiC CMP工具
·競爭對(duì)手的拋光機(jī)基本上是為拋光硅集成電路而設(shè)計(jì)的，這有一套非常不同的要求
·6EZ與其競爭對(duì)手之間最重要的區(qū)別在于晶圓載具的設(shè)計(jì)
布局和功能：
綜合清潔站
·向晶圓的上表面和下表面分配1或2中清潔化學(xué)品
·高壓噴淋棒（10psi）
晶圓翻轉(zhuǎn)
·濕式機(jī)器人實(shí)現(xiàn)雙面拋光
濕式轉(zhuǎn)運(yùn)站
·DIW和化學(xué)沖洗
三臺(tái)200rpm拋光臺(tái)，帶拋光臺(tái)和拋光墊冷卻（5ºC）
·專用載體、護(hù)墊調(diào)節(jié)劑和護(hù)墊清潔劑
·兩種漿料的流量控制器
·每張桌上的化學(xué)清潔劑（第三種漿料可選）
漿料分配臂
調(diào)節(jié)臂和盤片
優(yōu)化晶圓載體
·基于經(jīng)驗(yàn)證的ViPRR技術(shù)的設(shè)計(jì)
晶圓處理
·全自動(dòng)C2C晶圓
·邊緣抓握干式機(jī)器人搬運(yùn)
·最多50片晶圓，無需操作員干預(yù)
晶圓載體對(duì)照表
| 項(xiàng)目 | 6EZ(板＋萬向節(jié)) | 競爭對(duì)手(薄膜) | 影響 |
| 晶圓載體設(shè)計(jì) | 板+萬向節(jié)設(shè)計(jì)(適用于SiC) | 基于膜的設(shè)計(jì)(適用于硅薄膜) | 6EZ從頭開始為SiC設(shè)計(jì) |
| 拋光下壓力 | 更高的"拋光下壓力"(設(shè)計(jì)強(qiáng)勁，無RR力) | 較低的"拋光下壓力"(薄膜較弱，RR力降低拋光力) | MRR |
| 可靠性 | 穩(wěn)健設(shè)計(jì)，可靠性高 | 膜可能會(huì)意外失效（破裂） | 正常運(yùn)行時(shí)間，成本（膜成本高） |
| 扣環(huán)設(shè)計(jì) | 扣環(huán)不接觸拋光墊；沒有晶圓溢出 | 扣環(huán)上的下壓力較大(需要保持晶圓) | |
| 下壓力 | 更高的"拋光下壓力"(100%的力用于晶圓) | 較低的"拋光力"(超過RR所用力的一半) | MRR |
| 扣環(huán)磨損 | 襯墊上最小的RR磨損可延長實(shí)用壽命 | 高RR磨損率降低使用壽命 | 正常運(yùn)行時(shí)間，成本 |
| 襯墊磨損 | 延長極板壽命 | RR摩擦縮短襯墊壽命 | 正常運(yùn)行時(shí)間，成本 |
| 襯墊調(diào)節(jié) | 所需的襯墊調(diào)節(jié)時(shí)間更短 | 需要更多的襯墊調(diào)節(jié)時(shí)間 | 正常運(yùn)行時(shí)間，成本 |
| 熱量產(chǎn)生 | 扣環(huán)摩擦不會(huì)產(chǎn)生熱量 | 必須清除擋圈摩擦產(chǎn)生的熱量 | 薄膜設(shè)計(jì)具有更高的襯墊過熱風(fēng)險(xiǎn)(工藝風(fēng)險(xiǎn)) |
| 區(qū)域控制 | 晶圓上的2個(gè)區(qū)域，可調(diào)節(jié) | 晶圓上的2個(gè)區(qū)域，可調(diào)節(jié) |
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