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接近式光刻機(jī)的使用原理及性能指標(biāo)
2024-09-09

大家也許還不是非常的清楚,光刻機(jī)的種類有非常的多,其中的技術(shù)原理也不盡相同,下面就由我來(lái)給大家簡(jiǎn)單介紹一下有關(guān)接近式光刻機(jī)的使用原理及性能指標(biāo)。接近式光刻機(jī)的使用原理:其實(shí)在我國(guó)對(duì)于接近式光刻機(jī),曝光時(shí)掩模壓在光刻膠的襯底晶片上,其主要優(yōu)點(diǎn)...

  • 2021-01-26

    在加工行業(yè)當(dāng)中,工人們經(jīng)常使用到的一類測(cè)量?jī)x器是膜厚儀,膜厚測(cè)量?jī)x能夠?qū)Ω黝惒牧线M(jìn)行厚度的準(zhǔn)確測(cè)量,從而能夠給加工企業(yè)帶來(lái)很好的參考建議。讓它們能夠做出詳細(xì)判斷和考量,以此來(lái)有效避免生產(chǎn)后期的大量返工。而用戶在使用膜厚儀的時(shí)候一定要特別小心謹(jǐn)慎,不能夠過(guò)于馬虎大意,只有這樣才能夠獲得更為準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。那我們?cè)撛鯓诱_使用膜厚測(cè)量?jī)x呢?這是一個(gè)值得深刻進(jìn)行探討的問(wèn)題,下面就由測(cè)量專家來(lái)為大家進(jìn)行解惑吧。第1、我們要選擇金屬磁性及表面粗糙度與試件基體接近的標(biāo)準(zhǔn)片來(lái)予以測(cè)量,這樣...

  • 2021-01-17

    隔振臺(tái)采用了剛性彈簧和負(fù)剛度機(jī)制,達(dá)到極低凈垂向剛度,而凈符合支持能力則未受到絲毫影響。水平振動(dòng)阻隔效果由梁柱與垂直運(yùn)動(dòng)隔離器串聯(lián)實(shí)現(xiàn)。只要調(diào)整至1/2Hz固定頻率,該工作站就能實(shí)現(xiàn)2Hz下93%的阻隔效率,5Hz下99%的阻隔效率和10Hz下99.7%的阻隔效率。MinusK垂直隔離器,附帶KineticSystem動(dòng)力系統(tǒng),更為您帶來(lái)更好的使用體驗(yàn)和額外的底架空間。隔振臺(tái)主要優(yōu)勢(shì):1、小的厚度,輕的質(zhì)量;2、大大提高設(shè)備性能及質(zhì)量;3、易于集成到工作站中;4、沒(méi)有調(diào)試要求...

  • 2021-01-04

    光刻技術(shù)實(shí)際上是一種精密表面加工技術(shù),它借助于一定波長(zhǎng)的激光光源以及選擇性的化學(xué)腐蝕和刻蝕技術(shù)把設(shè)計(jì)的微納圖案轉(zhuǎn)移到硅基板上。但是隨著集成電路功能和密度的提升傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已經(jīng)難以滿足當(dāng)前對(duì)線寬越來(lái)越小的需求。但是打破衍射極限的大型光刻設(shè)備又極其昂貴。為了擺脫光學(xué)衍射極限和克服高成本的限制,一種操作簡(jiǎn)單,成本低廉的納米壓印技術(shù)產(chǎn)生了。納米壓印的技術(shù)核心是充分利用機(jī)械能將剛性模板上的圖案轉(zhuǎn)到抗蝕劑上,之后再借助溶脫、剝離、刻蝕等將圖案轉(zhuǎn)移到基板上。到目前為止壓印技術(shù)已經(jīng)發(fā)展出來(lái)...

  • 2020-12-28

    白光干涉儀目前在3D檢測(cè)領(lǐng)域是精度高的測(cè)量?jī)x器之一,在同等系統(tǒng)放大倍率下檢測(cè)精度和重復(fù)精度都高于共聚焦顯微鏡和聚焦成像顯微鏡,在一些納米級(jí)和亞納米級(jí)的超精密加工領(lǐng)域,除了白光干涉儀,其它的儀器無(wú)法達(dá)到其測(cè)量精度要求。儀器的測(cè)量原理:本儀器是利用光學(xué)干涉原理研制開(kāi)發(fā)的超精密表面輪廓測(cè)量?jī)x器。照明光束經(jīng)半反半透分光鏡分威兩束光,分別投射到樣品表面和參考鏡表面。從兩個(gè)表面反射的兩束光再次通過(guò)分光鏡后合成一束光,并由成像系統(tǒng)在CCD相機(jī)感光面形成兩個(gè)疊加的像。由于兩束光相互干涉,在C...

  • 2020-12-23

    接觸式光刻機(jī)是一種用于信息科學(xué)與系統(tǒng)科學(xué)、能源科學(xué)技術(shù)、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器,于2016年7月12日啟用。接觸式光刻機(jī)的使用原理:其實(shí)在我國(guó)對(duì)于接觸式光刻機(jī),曝光時(shí)掩模壓在光刻膠的襯底晶片上,其主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價(jià)格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。我們也許不知道接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達(dá)到了小于0.1gm的特征尺寸,常用的光源分辨率為0.5gm左右。該設(shè)備的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠,并被安裝到一個(gè)由手動(dòng)控制的臺(tái)子上,臺(tái)子...

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